T2G6000528-Q3

T2G6000528-Q3
Mfr. #:
T2G6000528-Q3
メーカー:
Qorvo
説明:
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
T2G6000528-Q3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
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製品属性
属性値
メーカー
TriQuint(Qorvo)
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
シリーズ
T2G
包装
トレイ
パーツエイリアス
1099997
テクノロジー
GaN SiC
トランジスタタイプ
HEMT
Tags
T2G6000528-Q, T2G6000, T2G6, T2G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 6 GHz, 10W, 13.5 dB, 28 V, GaN
T2G GaN HEMT Transistors
QorvoT2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
T2G6000528-Q3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3
QorvoRF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
RoHS: Compliant
291
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3 28V
DISTI # 772-T2G6000528-Q328V
QorvoRF JFET Transistors DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
RoHS: Compliant
75
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3EVB3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EV
QorvoRF Development Tools 3-3.3GHz Eval Board
RoHS: Compliant
2
  • 1:$875.0000
T2G6000528-Q3, EVAL BOARD
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EB
QorvoRF Development Tools DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Eval Brd
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
画像 モデル 説明
T2G6003028-FL

Mfr.#: T2G6003028-FL

OMO.#: OMO-T2G6003028-FL

RF JFET Transistors DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
T2G6000528-Q3

Mfr.#: T2G6000528-Q3

OMO.#: OMO-T2G6000528-Q3

RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
T2G6001528-Q3

Mfr.#: T2G6001528-Q3

OMO.#: OMO-T2G6001528-Q3

RF JFET Transistors DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
T2G6001528-Q3

Mfr.#: T2G6001528-Q3

OMO.#: OMO-T2G6001528-Q3-318

RF JFET Transistors DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
T2G6003028-FL

Mfr.#: T2G6003028-FL

OMO.#: OMO-T2G6003028-FL-318

RF JFET Transistors DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
T2G6001528-SG-EVB

Mfr.#: T2G6001528-SG-EVB

OMO.#: OMO-T2G6001528-SG-EVB-1152

RF Development Tools
T2G6001528-SG, EVAL BOAR

Mfr.#: T2G6001528-SG, EVAL BOAR

OMO.#: OMO-T2G6001528-SG-EVAL-BOAR-1190

ブランドニューオリジナル
T2G6003028

Mfr.#: T2G6003028

OMO.#: OMO-T2G6003028-1190

ブランドニューオリジナル
T2G6003028-FL-EVB

Mfr.#: T2G6003028-FL-EVB

OMO.#: OMO-T2G6003028-FL-EVB-1190

ブランドニューオリジナル
T2G6003028-FS-EVB1

Mfr.#: T2G6003028-FS-EVB1

OMO.#: OMO-T2G6003028-FS-EVB1-1190

ブランドニューオリジナル
可用性
ストック:
Available
注文中:
2000
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$86.40
$86.40
10
$82.08
$820.80
100
$77.76
$7 776.00
500
$73.44
$36 720.00
1000
$69.12
$69 120.00
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
皮切りに
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