SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4952DY-T1-E3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI4952DY-T1-E3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
TrenchFETR
包装
テープ&リール(TR)
パーツエイリアス
SI4952DY-E3
単位重量
0.006596 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
2 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
8-SO
構成
デュアル
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
パワーマックス
2.8W
トランジスタタイプ
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
25V
入力-静電容量-Ciss-Vds
680pF @ 13V
FET機能
ロジックレベルゲート
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.2V @ 250μA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
18nC @ 10V
Pd-電力損失
1.8 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
50 ns
立ち上がり時間
50 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
16 V
Id-連続-ドレイン-電流
7 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
25 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
23 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
20 ns
典型的なターンオン遅延時間
15 ns
チャネルモード
強化
Tags
SI4952DY-T, SI4952D, SI4952, SI495, SI49, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI4952DY-T1-E3
DISTI # SI4952DY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4952DY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4952DY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V 8.0A 2.8W
    RoHS: Compliant
    0
      SI4952DY-T1-E3Vishay Siliconix 1226
        画像 モデル 説明
        SI4952DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3

        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
        SI4952DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4952DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3

        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4214DDY-GE3
        SI4952DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4952DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-E3-VISHAY

        RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 8.0A 2.8W
        SI4952DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4952DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-GE3-VISHAY

        RF Bipolar Transistors MOSFET Dual N-Ch MOSFET 25V 23mohm @ 10V
        SI4952DY

        Mfr.#: SI4952DY

        OMO.#: OMO-SI4952DY-1190

        ブランドニューオリジナル
        SI4952DY-T1

        Mfr.#: SI4952DY-T1

        OMO.#: OMO-SI4952DY-T1-1190

        ブランドニューオリジナル
        可用性
        ストック:
        Available
        注文中:
        4000
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        $0.00
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