RFD4N06LSM9A

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

600 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

30 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

2.39 mm

長さ：

6.73 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

160 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

130 ns

ファクトリーパックの数量：

750

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

RFD4N06LS, RFD4N, RFD4, RFD