MRF6V14300HR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

利得：

18 dB

出力電力：

39.6 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.2 GHz to 1.4 GHz

シリーズ：

MRF6V14300H

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.4 V

パーツ番号エイリアス：

935313404178

単位重量：

0.227150 oz

Tags

MRF6V14300H, MRF6V14, MRF6V1, MRF6V, MRF6, MRF