BCP55-10,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

63 at 150 mA, 2 V

高さ：

1.7 mm

長さ：

6.7 mm

包装：

リール

幅：

3.7 mm

ブランド：

Nexperia

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

63 at 150 mA, 2 V

Pd-消費電力：

960 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

BCP55-10 T/R

単位重量：

0.003951 oz

Tags

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