DMN80H2D0SCTI

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

ITO-220AB-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

35.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

41 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

42.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35.8 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

104 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20.5 ns

単位重量：

0.065257 oz

Tags

DMN8, DMN