FDN5632N-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SSOT-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

1.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

98 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

UltraFET

包装：

リール

高さ：

1.12 mm

長さ：

2.9 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

FDN5632N_F085

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

パワートレンチMOSFET

幅：

1.4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

1.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

5.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

パーツ番号エイリアス：

FDN5632N_F085

単位重量：

0.001058 oz

Tags

FDN5632N-F, FDN5632N, FDN5632, FDN563, FDN56, FDN5, FDN