TK100E08N1,S1X

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

214 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.2 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

130 nC

構成：

独身

商標名：

DTMOSIV

高さ：

15.1 mm

長さ：

10.16 mm

シリーズ：

TK100E08N1

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.45 mm

ブランド：

東芝

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.211644 oz

Tags

TK100E08, TK100E0, TK100E, TK100, TK10, TK1