SIZ700DT-T1-GE3

Mfr. #:: SIZ700DT-T1-GE3
メーカー:: Vishay
説明:: RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: SIZ700DT-T1-GE3 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: Vishay Siliconix

製品カテゴリ: FET-アレイ

シリーズ: TrenchFETR

包装: テープ＆リール（TR）

パーツエイリアス: SIZ700DT-GE3

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: 6-PowerPair

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 2 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: 6-PowerPair

構成: デュアル

FETタイプ: 2 N-Channel (Half Bridge)

パワーマックス: 2.36W, 2.8W

トランジスタタイプ: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 20V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 1300pF @ 10V

FET機能: 標準

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 16A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 8.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 2.2V @ 250μA

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 35nC @ 10V

Pd-電力損失: 2.36 W 2.8 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 8 ns 10 ns

立ち上がり時間: 9 ns 8 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 16 V

Id-連続-ドレイン-電流: 16 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 20 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 7 mOhms 4.7 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 25 ns 47 ns

典型的なターンオン遅延時間: 8 ns 12 ns

フォワード-相互コンダクタンス-最小: 60 S 100 S

チャネルモード: 強化

Tags: SIZ700DT-T, SIZ700DT, SIZ700D, SIZ700, SIZ70, SIZ7, SiZ

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SIZ700DT-T1-GE3 説明

***et Europe: Trans MOSFET N-CH 20V 13.1A/17.3A 6-Pin PowerPAIR T/R

***i-Key: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

***ment14 APAC: MOSFET, NN-CH, 20V, 16A, POWERPAIR8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAIR; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:16A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):7mohm; Power Dissipation Pd:2.8W; Voltage Vgs Max:16V

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # SIZ700DT-T1-GE3-ND	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call	3000:$0.6622
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # 15R4897	Vishay Intertechnologies	MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 16A, POWERPAIR, FULL REEL,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:16A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.007ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:6Pins , RoHS Compliant: Yes	0	1:$0.6370 3000:$0.6330 6000:$0.6020 12000:$0.5340
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # 83T3535	Vishay Intertechnologies	MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 16A, POWERPAIR,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:16A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.007ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:800mV, RoHS Compliant: Yes	0	1:$1.6200 25:$1.5300 50:$1.3900 100:$1.2500 250:$1.1300 500:$0.9510 1000:$0.8410
SIZ700DT-T1-GE3 DISTI # 781-SIZ700DT-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V RoHS: Compliant	0
SIZ700DT-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V	Americas -

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: SIZ700DT-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-GE3	MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3
	Mfr.#: SIZ700DT-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-GE3-VISHAY	RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 16A 2.36/2.8W 8.6/5.8mohm @ 10V
	Mfr.#: SIZ700DI-T1-GE3 OMO.#: OMO-SIZ700DI-T1-GE3-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIZ700DT OMO.#: OMO-SIZ700DT-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIZ700DT-T1 OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SIZ700DT-T1-E3 OMO.#: OMO-SIZ700DT-T1-E3-1190	ブランドニューオリジナル

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10: ~~$0.78~~; ~~$7.85~~

100: ~~$0.74~~; ~~$74.37~~

500: ~~$0.70~~; ~~$351.20~~

1000: ~~$0.66~~; ~~$661.10~~

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