SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3
Mfr. #:
SIHB33N60EF-GE3
メーカー:
Vishay
説明:
IGBT Transistors MOSFET N-Channel 600V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SIHB33N60EF-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
SIHB33N60EF-GE3 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー
VISHAY / SILICONIX
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
包装
リール
単位重量
0.068654 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
商標名
EFシリーズ
パッケージ-ケース
TO-263-3
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
独身
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
278 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
48 ns
立ち上がり時間
43 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
33 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
600 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
98 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
161 ns
典型的なターンオン遅延時間
28 ns
Qg-Gate-Charge
155 nC
Tags
SIHB33, SIHB3, SIHB, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin D2PAK
***ure Electronics
600V, 33A, 98MOHM, D2PAK, EF SERIES
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
***ark
N-Channel 600V
***
N-CH 600V T0-263
EF Series High Voltage Power MOSFETs
Vishay / Siliconix EF Series High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SIHB33N60EF-GE3
DISTI # SIHB33N60EF-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 33A TO-263
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
934In Stock
  • 1000:$3.8610
  • 500:$4.4330
  • 100:$5.2910
  • 10:$6.4350
  • 1:$7.1500
SIHB33N60EF-GE3
DISTI # SIHB33N60EF-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: SIHB33N60EF-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel
Americas - 0
  • 1000:$3.6900
  • 2000:$3.5900
  • 4000:$3.4900
  • 6000:$3.3900
  • 10000:$3.2900
SIHB33N60EF-GE3
DISTI # 78-SIHB33N60EF-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
RoHS: Compliant
640
  • 1:$6.5000
  • 10:$5.8600
  • 25:$5.3400
  • 100:$4.8200
  • 250:$4.4300
  • 500:$4.3500
SIHB33N60EF-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
RoHS: Compliant
Americas -
  • 3000:$3.3280
画像 モデル 説明
SIHB33N60EF-GE3

Mfr.#: SIHB33N60EF-GE3

OMO.#: OMO-SIHB33N60EF-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB33N60ET1-GE3

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MOSFET N-Channel 600V
SIHB33N60E-GE3

Mfr.#: SIHB33N60E-GE3

OMO.#: OMO-SIHB33N60E-GE3

MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB33N60EF-GE3

Mfr.#: SIHB33N60EF-GE3

OMO.#: OMO-SIHB33N60EF-GE3-VISHAY

IGBT Transistors MOSFET N-Channel 600V
SIHB33N60E-E3

Mfr.#: SIHB33N60E-E3

OMO.#: OMO-SIHB33N60E-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET N-Channel 600V
SIHB33N60ET1-GE3

Mfr.#: SIHB33N60ET1-GE3

OMO.#: OMO-SIHB33N60ET1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET N-Channel 600V
SIHB33N60EF-GE3-CUT TAPE

Mfr.#: SIHB33N60EF-GE3-CUT TAPE

OMO.#: OMO-SIHB33N60EF-GE3-CUT-TAPE-1190

ブランドニューオリジナル
SIHB33N60E

Mfr.#: SIHB33N60E

OMO.#: OMO-SIHB33N60E-1190

N-CH 600V 99mOhm 33A TO263
SIHB33N60E-GE3

Mfr.#: SIHB33N60E-GE3

OMO.#: OMO-SIHB33N60E-GE3-VISHAY

MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
SIHB33N60ET5-GE3

Mfr.#: SIHB33N60ET5-GE3

OMO.#: OMO-SIHB33N60ET5-GE3-VISHAY

MOSFET N-CH 600V 33A TO263
可用性
ストック:
Available
注文中:
4500
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$4.41
$4.41
10
$4.19
$41.94
100
$3.97
$397.33
500
$3.75
$1 876.30
1000
$3.53
$3 531.80
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
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