3LN01S-TL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-81-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

150 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.4 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

1.58 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

独身

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

3LN01S

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

120 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

65 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

155 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

Tags

3LN01S-TL-E, 3LN01S-TL, 3LN01S-T, 3LN01S, 3LN01, 3LN0, 3LN