2SD1857ATV2Q

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

80 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

270

高さ：

4.4 mm

長さ：

6.8 mm

包装：

弾薬パック

幅：

2.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

1.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

82

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

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