MRFE6S8046GNR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

66 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-4

包装：

リール

構成：

シングルデュアルドレインデュアルゲート

高さ：

2.64 mm

長さ：

17.58 mm

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.07 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

単位重量：

0.057666 oz

Tags

MRFE6S, MRFE6, MRFE, MRF