RQ1E070RPTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

50 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S

立ち下がり時間：

70 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

140 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

RQ1E070RP

Tags

RQ1E070, RQ1E07, RQ1E0, RQ1E, RQ1