KSB1116ALTA

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

T

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.2 V

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

400

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.2 mm

包装：

弾薬パック

幅：

4.19 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

- 1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

135

Pd-消費電力：

750 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.008466 oz

Tags

KSB1116A, KSB111, KSB11, KSB1, KSB