NP100P04PDG-E1-AY

製品属性

属性値

メーカー：

ルネサスエレクトロニクス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.5 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

1800 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

4.45 mm

長さ：

10 mm

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

9.15 mm

ブランド：

ルネサスエレクトロニクス

立ち下がり時間：

100 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

300 ns

典型的なターンオン遅延時間：

38 ns

単位重量：

0.077603 oz

Tags

NP100P04P, NP100P04, NP100P, NP100, NP10, NP1