QS8J1TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

29 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

QS8J1

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

幅：

2.4 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

215 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

75 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

390 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

QS8J1

Tags

QS8J1, QS8J, QS8