IPD650P06NMATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 60 V

Id-連続ドレイン電流：

- 22 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

65 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

- 39 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

IPD06P003

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

21 S

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

33 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

IPD650P06NM SP004987256

Tags

IPD65, IPD6, IPD