MMRF1312HR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2.6 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 112 V

利得：

19.6 dB

出力電力：

1 kW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230H-4S-4

包装：

リール

動作周波数：

900 MHz to 1.215 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

1.053 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

パーツ番号エイリアス：

935316216178

単位重量：

0.465355 oz

Tags

MMRF1312, MMRF131, MMRF13, MMRF1, MMRF, MMR