IXDN75N120

Mfr. #:: IXDN75N120
メーカー:: Littelfuse
説明:: IGBT Transistors 75 Amps 1200V
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IXDN75N120 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: IXYS

製品カテゴリ: IGBT-モジュール

シリーズ: IXDN75N120

包装: チューブ

単位重量: 1.340411 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: SOT-227-4, miniBLOC

取付タイプ: シャーシマウント

サプライヤー-デバイス-パッケージ: SOT-227B

入力: 標準

構成: 独身

パワーマックス: 660W

Current-Collector-Ic-Max: 150A

電圧-コレクタ-エミッタ-故障-最大: 1200V

Current-Collector-Cutoff-Max: 4mA

IGBTタイプ: NPT

Vce-on-Max-Vge-Ic: 2.7V @ 15V, 75A

入力-静電容量-Cies-Vce: 5.5nF @ 25V

NTC-サーミスタ: 番号

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 40 C

コレクター-エミッター-電圧-VCEO-マックス: 1200 V

コレクター-エミッター-飽和-電圧: 2.2 V

最大ゲート-エミッタ-電圧: +/- 20 V

連続-コレクタ-電流-Ic-Max: 150 A

Tags: IXDN7, IXDN, IXD

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IXDN75N120 説明

***ure Electronics: IXDN75N120 Series 1200 V 150 A Chassis Mount High Voltage IGBT - SOT-227B

***p One Stop Global: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4-Pin SOT-227B

***p One Stop Japan: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B

***i-Key: IGBT 1200V 150A SOT-227B

***trelec: IGBT Housing type: SOT-227B Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 3.5 V Current release time: 70 ns Power dissipation: 630 W

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IXDN75N120 DISTI # V99:2348_15876752	IXYS Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant	7	25:$29.6000 10:$32.5100 5:$34.0600 1:$35.8400
IXDN75N120 DISTI # V36:1790_15876752	IXYS Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant	0
IXDN75N120 DISTI # IXDN75N120-ND	IXYS Corporation	IGBT 1200V 150A SOT-227B RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tube	66In Stock	100:$28.4242 30:$30.5830 10:$33.2820 1:$35.9800
IXDN75N120 DISTI # 31237461	IXYS Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant	20	25:$30.2841 10:$32.9472
IXDN75N120 DISTI # 31329799	IXYS Corporation	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant	7	25:$29.6000 10:$32.5100 5:$34.0600 1:$35.8400
IXDN75N120 DISTI # 747-IXDN75N120	IXYS Corporation	IGBT Transistors 75 Amps 1200V RoHS: Compliant	90	1:$35.9800 5:$34.1800 10:$33.2800 25:$30.5800 50:$29.8500 100:$28.4200 200:$26.0800
IXDN75N120	IXYS Corporation		3
IXDN75N120	Ixys Corporation	* FREE SHIPPING ORDERS OVER $100 * IGBT Power Module Transistor, Independent	2	1:$32.0000
IXDN75N120 DISTI # IXDN75N120	IXYS Corporation	Ic:150A,SOT227B,screw,screw,660W,NPT	16	1:$29.8900 3:$26.3900 10:$23.6900

画像	モデル	説明
	Mfr.#: IXDN75N120 OMO.#: OMO-IXDN75N120	IGBT Transistors 75 Amps 1200V
	Mfr.#: IXDN75N120A OMO.#: OMO-IXDN75N120A-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IXDN75N120AU1 OMO.#: OMO-IXDN75N120AU1-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IXDN75N120 OMO.#: OMO-IXDN75N120-IXYS-CORPORATION	IGBT Transistors 75 Amps 1200V

IXDN75N120

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Step2:Anti-Static Bag

Step3:Packaging Boxes

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