R6015ANZC8

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3PF-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

15 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

230 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.95 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

50 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

110 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.5 S

立ち下がり時間：

60 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

50 ns

ファクトリーパックの数量：

360

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

150 ns

典型的なターンオン遅延時間：

50 ns

パーツ番号エイリアス：

R6015ANZ

単位重量：

0.194007 oz

Tags

R6015A, R6015, R601, R60