IRFH7932TR2PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

24 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.3 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

34 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

StrongIRFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

6 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

59 S

立ち下がり時間：

20 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

48 ns

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001566834

単位重量：

0.070548 oz

Tags

IRFH7932T, IRFH7932, IRFH793, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF