NUS5530MNR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-8

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

35 V

Pd-消費電力：

635 mW

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NUS5530MN

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.001319 oz

Tags

NUS5, NUS