NXH80B120H2Q0SG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

製品：

IGBTシリコンカーバイドモジュール

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.2 V

25℃での連続コレクタ電流：

40 A

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

Pd-消費電力：

103 W

パッケージ/ケース：

Q0BOOST

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

包装：

トレイ

ブランド：

オン・セミコンダクター

取り付けスタイル：

プレスフィット

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

24

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

NXH8, NXH