BSC0

BSC018NE2LSI vs BSC018NE2LSIXT vs BSC018NE2LSIATMA1

 
PartNumberBSC018NE2LSIBSC018NE2LSIXTBSC018NE2LSIATMA1
DescriptionMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOSMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOSMOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
ManufacturerInfineonInfineon-
Product CategoryMOSFETMOSFET-
RoHSYY-
TechnologySiSi-
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMT-
Package / CaseTDSON-8TDSON-8-
Number of Channels1 Channel1 Channel-
Transistor PolarityN-ChannelN-Channel-
Vds Drain Source Breakdown Voltage25 V25 V-
Id Continuous Drain Current100 A100 A-
Rds On Drain Source Resistance1.5 mOhms1.5 mOhms-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage1.2 V1.2 V-
Vgs Gate Source Voltage20 V20 V-
Qg Gate Charge48 nC48 nC-
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C-
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C-
Pd Power Dissipation69 W69 W-
ConfigurationSingleSingle-
Channel ModeEnhancementEnhancement-
TradenameOptiMOSOptiMOS-
PackagingReelReel-
Height1.27 mm1.27 mm-
Length5.9 mm5.9 mm-
Transistor Type1 N-Channel1 N-Channel-
Width5.15 mm5.15 mm-
BrandInfineon TechnologiesInfineon Technologies-
Forward Transconductance Min65 S65 S-
Fall Time3.6 ns3.6 ns-
Product TypeMOSFETMOSFET-
Rise Time4.8 ns4.8 ns-
Factory Pack Quantity50005000-
SubcategoryMOSFETsMOSFETs-
Typical Turn Off Delay Time24 ns24 ns-
Typical Turn On Delay Time5.2 ns5.2 ns-
Part # AliasesBSC018NE2LSIATMA1 BSC18NE2LSIXT SP000906030BSC018NE2LSIATMA1 SP000906030-
Unit Weight0.004176 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSC019N06NSATMA1 MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC020N03LS G MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC020N03LSGATMA1 MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC020N03MS G MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC019N04LS MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC019N04NS G MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC020N03MSGATMA1 MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC019N04LSATMA1 MOSFET MV POWER MOS
BSC018NE2LSI MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC019N02KS G MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC020N03LSGXT MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC018NE2LSIXT MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LSIXT MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LSI Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSC019N02KSGAUMA1 MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
BSC019N04NSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
BSC020N025S G MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
BSC020N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC020N03LSGXT MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC020N03MS G Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP
BSC020N03MSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
BSC019N04LSATMA1 MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
BSC019N04LSTATMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC019N06NSATMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC020N03LSGATMA2 LV POWER MOS
BSC018NE2LSIATMA1 MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
BSC020N03LS G MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC019N02KS G RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC019N04NS G RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSC019N02KSGAUMA1 MOSFET LV POWER MOS
BSC019N02KSGXT/SAMPLE Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSC019N02KSGAUMA1)
BSC018NE2LSI BSC018NE2LS ブランドニューオリジナル
BSC018NE2LSI QFN8 ブランドニューオリジナル
BSC019N04NS G(SP00038829 ブランドニューオリジナル
BSC019N04NS G) ブランドニューオリジナル
BSC019N04NS3G ブランドニューオリジナル
BSC020N02LS ブランドニューオリジナル
BSC020N03LS3G ブランドニューオリジナル
BSC020N03LSG,1N4148W T/R ブランドニューオリジナル
BSC020N03MSGINTR-ND ブランドニューオリジナル
BSC019N02KS ブランドニューオリジナル
BSC019N02KSG ブランドニューオリジナル
BSC019N04NS ブランドニューオリジナル
BSC020N025S ブランドニューオリジナル
BSC020N025SG ブランドニューオリジナル
BSC020N03LS ブランドニューオリジナル
BSC020N03LSG Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
BSC020N03MS ブランドニューオリジナル
BSC020N03MSG Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON T/R (Alt: BSC020N03MS G)
BSC019N04NSG Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON (Alt: SP000388299)
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