STD1

STD11N60DM2 vs STD11N50M2 vs STD110NH02LT4

 
PartNumberSTD11N60DM2STD11N50M2STD110NH02LT4
DescriptionMOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK packageMOSFET N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK packageMOSFET N-Ch 24 Volt 80 Amp
ManufacturerSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3TO-252-3TO-252-3
Number of Channels1 Channel1 Channel1 Channel
Transistor PolarityN-ChannelN-ChannelN-Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage600 V500 V24 V
Id Continuous Drain Current10 A8 A80 A
Rds On Drain Source Resistance370 mOhms450 mOhms5 mOhms
Vgs th Gate Source Threshold Voltage3 V2 V-
Vgs Gate Source Voltage25 V25 V20 V
Qg Gate Charge16.5 nC12 nC-
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C- 55 C
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C+ 175 C
Pd Power Dissipation110 W85 W125 W
ConfigurationSingleSingleSingle
Channel ModeEnhancementEnhancementEnhancement
TradenameMDmeshMDmesh-
PackagingReelReelReel
SeriesSTD11N60DM2STD11N50M2STD110NH02L
Transistor Type1 N-Channel-1 N-Channel
BrandSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Fall Time9.5 ns28.5 ns40 ns
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Rise Time6.3 ns9 ns224 ns
Factory Pack Quantity250025002500
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Typical Turn Off Delay Time31 ns8 ns69 ns
Typical Turn On Delay Time11.7 ns11 ns14 ns
Unit Weight0.011993 oz0.139332 oz0.139332 oz
Height--2.4 mm
Length--6.6 mm
Type--MOSFET
Width--6.2 mm
Forward Transconductance Min--52 S
メーカー モデル 説明 RFQ
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STD11N60DM2 MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
STD120N4F6 MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
STD11N65M2 MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD11N65M5 MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
STD11NM60ND MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
STD11NM65N MOSFET N-Ch 650V 0.425Ohm 11A pwr MDMesh II
STD11NM50N MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
STD11N50M2 MOSFET N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD120N4LF6 MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
STD11N60M2-EP MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD11NM50N MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
STD11N50M2 IGBT Transistors MOSFET POWER MOSFET
STD11NM65N RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 650V 0.425Ohm 11A pwr MDMesh II
STD11N60DM2 N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
STD11N60M2-EP N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
STD110NH02LT4 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
STD11N65M2 MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
STD11N65M5 MOSFET N CH 650V 9A DPAK
STD11NM60N MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STD11NM60N-1 MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
STD11NM60ND MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STD120N4F6 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STD120N4LF6 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STD11N65M5-CUT TAPE ブランドニューオリジナル
STD120N4LF6-CUT TAPE ブランドニューオリジナル
STD12100TR DIODE SCHOTTKY 100V 12A DPAK
STD11N65M5 11N65M5 ブランドニューオリジナル
STD1145 7141460-1 ブランドニューオリジナル
STD116GK12 ブランドニューオリジナル
STD116GK16 ブランドニューオリジナル
STD1178 ブランドニューオリジナル
STD11N65M5 11NM65 ブランドニューオリジナル
STD11N65M5(1297) ブランドニューオリジナル
STD11NE06LT4 ブランドニューオリジナル
STD11NM65M5 11N65 ブランドニューオリジナル
STD120F ブランドニューオリジナル
STD123 ブランドニューオリジナル
STD123 SJ ブランドニューオリジナル
STD123-AT ブランドニューオリジナル
STD1235 ブランドニューオリジナル
STD123AS ブランドニューオリジナル
STD123AS 12A ブランドニューオリジナル
STD123ASF ブランドニューオリジナル
STD123S ブランドニューオリジナル
STD123S , MA188- ブランドニューオリジナル
STD123S PF ブランドニューオリジナル
STD123SF ブランドニューオリジナル
STD123SG ブランドニューオリジナル
STD123SJ ブランドニューオリジナル
STD123UF ブランドニューオリジナル
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