MRF6P18190HR6

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

68 V

利得：

15.9 dB

出力電力：

44 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230-5

包装：

リール

構成：

デュアル

高さ：

5.08 mm

長さ：

41.28 mm

動作周波数：

1.8 GHz to 1.88 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

10.29 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

648 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

150

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

0.465355 oz

Tags

MRF6P, MRF6, MRF