SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI9936BDY-T1-GE3
メーカー:
Vishay
説明:
IGBT Transistors MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI9936BDY-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
-
包装
テープ&リール(TR)
パッケージ-ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
サプライヤー-デバイス-パッケージ
8-SO
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
パワーマックス
1.1W
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
入力-静電容量-Ciss-Vds
-
FET機能
ロジックレベルゲート
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
4.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
35 mOhm @ 6A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
13nC @ 10V
Tags
SI9936BDY-T, SI9936BD, SI9936B, SI9936, SI993, SI99, SI9
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
***nell
DUAL N CHANNEL MOSFET
***
30V, 35 MOHMS@10V, DUAL
***ment14 APAC
DUAL N CH MOSFET; Transistor Polarity:N; DUAL N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:4.5A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI9936BDY-T1-GE3
DISTI # SI9936BDY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI9936BDY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI9936BDY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      SI9936BDY-T1-GE3
      DISTI # 1871397
      Vishay IntertechnologiesDUAL N CH MOSFET
      RoHS: Compliant
      0
      • 1:$2.7900
      • 10:$2.1900
      • 50:$1.7000
      • 100:$1.4300
      • 500:$1.2300
      • 2500:$1.1600
      • 5000:$1.0800
      • 7500:$1.0200
      画像 モデル 説明
      SI9936BDY-T1-E3

      Mfr.#: SI9936BDY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI9936BDY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4936CDY-GE3
      SI9936BDY-T1-GE3

      Mfr.#: SI9936BDY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI9936BDY-T1-GE3-VISHAY

      IGBT Transistors MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V
      SI9936BDY-T1-E3

      Mfr.#: SI9936BDY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI9936BDY-T1-E3-VISHAY

      IGBT Transistors MOSFET 30V 6.0A 0.035Ohm
      SI9936BDY

      Mfr.#: SI9936BDY

      OMO.#: OMO-SI9936BDY-1190

      DUAL N CH MOSFET
      SI9936BDY-E3

      Mfr.#: SI9936BDY-E3

      OMO.#: OMO-SI9936BDY-E3-1190

      INSTOCK
      SI9936BDY-T1

      Mfr.#: SI9936BDY-T1

      OMO.#: OMO-SI9936BDY-T1-1190

      ブランドニューオリジナル
      可用性
      ストック:
      Available
      注文中:
      4500
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      100
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      $0.00
      500
      $0.00
      $0.00
      1000
      $0.00
      $0.00
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      皮切りに
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