IRFHM792TRPBF

Mfr. #:: IRFHM792TRPBF
メーカー:: Infineon Technologies
説明:: RF Bipolar Transistors MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IRFHM792TRPBF データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: インフィニオンテクノロジーズ

製品カテゴリ: FET-アレイ

シリーズ: HEXFETR

包装: テープ＆リール（TR）

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: 8-PowerVDFN

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 2 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

構成: デュアル

FETタイプ: 2 N-Channel (Dual)

パワーマックス: 2.3W

トランジスタタイプ: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 100V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 251pF @ 25V

FET機能: 標準

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 2.3A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 4V @ 10μA

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 6.3nC @ 10V

Pd-電力損失: 2.3 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 2.6 ns

立ち上がり時間: 4.7 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 2.3 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 100 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: 3 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 195 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 5.2 ns

典型的なターンオン遅延時間: 3.4 ns

Qg-Gate-Charge: 4.2 nC

フォワード-相互コンダクタンス-最小: 3.5 S

Tags: IRFHM79, IRFHM7, IRFHM, IRFH, IRF

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IRFHM792TRPBF 説明

***ure Electronics: Dual N-Channel 100 V 195 mOhm 6.3 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm

***ernational Rectifier: 100V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3.3mm x3.3mm Lead Free package

***et: Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN T/R

***ark: N CH MOSFET, DUAL, 100V, 3.4A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.164ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes

***ineon: Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Low Profile (less than 1.2 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified INDUSTRIAL; Qualified MSL1; Dual N-Channel MOSFET

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IRFHM792TRPBF DISTI # IRFHM792TRPBF-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN RoHS: Compliant Min Qty: 4000 Container: Tape & Reel (TR)	Temporarily Out of Stock	4000:$0.9263
IRFHM792TRPBF DISTI # IRFHM792TRPBF	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN T/R - Tape and Reel (Alt: IRFHM792TRPBF) RoHS: Compliant Min Qty: 4000 Container: Reel	Americas - 0	4000:$0.7189 8000:$0.6929 16000:$0.6679 24000:$0.6449 40000:$0.6339
IRFHM792TRPBF DISTI # SP001554848	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN T/R (Alt: SP001554848) RoHS: Compliant Min Qty: 4000 Container: Tape and Reel	Europe - 0	4000:€0.9309 8000:€0.7609 16000:€0.6979 24000:€0.6439 40000:€0.5979
IRFHM792TRPBF DISTI # 942-IRFHM792TRPBF	Infineon Technologies AG	MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET RoHS: Compliant	161	1:$1.8800 10:$1.6000 100:$1.2800 500:$1.1200 1000:$0.9300 4000:$0.8300

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: IRFHM792TRPBF OMO.#: OMO-IRFHM792TRPBF	MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET
	Mfr.#: IRFHM792TR2PBF OMO.#: OMO-IRFHM792TR2PBF	MOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm
	Mfr.#: IRFHM7194TRPBF OMO.#: OMO-IRFHM7194TRPBF	MOSFET TRENCH_MOSFETS
	Mfr.#: IRFHM7194TRPBF OMO.#: OMO-IRFHM7194TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET N-CH 100V 9.3A
	Mfr.#: IRFHM792TRPBFINFINEON-CS OMO.#: OMO-IRFHM792TRPBFINFINEON-CS-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IRFHM792TR2PBF OMO.#: OMO-IRFHM792TR2PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES	IGBT Transistors MOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm
	Mfr.#: IRFHM792TRPBF OMO.#: OMO-IRFHM792TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES	RF Bipolar Transistors MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET