IRGS10B60KDPBF

Mfr. #:: IRGS10B60KDPBF
メーカー:: Infineon Technologies
説明:: IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IRGS10B60KDPBF データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: インフィニオンテクノロジーズ

製品カテゴリ: IGBT-シングル

シリーズ: -

包装: チューブ代替包装

単位重量: 0.009185 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

入力方式: 標準

取付タイプ: 表面実装

サプライヤー-デバイス-パッケージ: D2PAK

構成: 独身

パワーマックス: 156W

Reverse-Recovery-Time-trr: 90ns

Current-Collector-Ic-Max: 22A

電圧-コレクタ-エミッタ-故障-最大: 600V

IGBTタイプ: NPT

Current-Collector-Pulsed-Icm: 44A

Vce-on-Max-Vge-Ic: 2.2V @ 15V, 10A

スイッチング-エネルギー: 140μJ (on), 250μJ (off)

ゲートチャージ: 38nC

Td-on-off-25°C: 30ns/230ns

テスト条件: 400V, 10A, 47 Ohm, 15V

Pd-電力損失: 156 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

コレクター-エミッター-電圧-VCEO-マックス: 600 V

コレクター-エミッター-飽和-電圧: 1.8 V

連続-コレクター-電流-at-25-C: 35 A

ゲート-エミッタ-リーク-電流: 100 nA

最大ゲート-エミッタ-電圧: +/- 20 V

連続-コレクタ-電流-Ic-Max: 35 A

Tags: IRGS10, IRGS1, IRGS, IRG

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IRGS10B60KDPBF 説明

***et Europe: Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Pb free

***nell: IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:22A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:156W; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:44A; Power, Pd:156W; Time, Rise:29ns

***ment14 APAC: SINGLE IGBT, 600V, 22A; Transistor Type:; SINGLE IGBT, 600V, 22A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:22A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:156W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IRGS10B60KDPBF DISTI # IRGS10B60KDPBF-ND	Infineon Technologies AG	IGBT 600V 22A 156W D2PAK RoHS: Compliant Min Qty: 500 Container: Tube	Limited Supply - Call
IRGS10B60KDPBF-EL DISTI # IRGS10B60KDPBF-EL	Infineon Technologies AG	Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRGS10B60KDPBF-EL) RoHS: Compliant Min Qty: 1	Europe - 0
IRGS10B60KDPBF DISTI # 70018502	Infineon Technologies AG	600V Ultrafast 10-30 kHz COPACK IGBT IN A D2-PAK Package RoHS: Compliant	0	5:$3.9500
IRGS10B60KDPBF	International Rectifier	Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel RoHS: Compliant	500	1000:$1.2500 500:$1.3200 100:$1.3700 25:$1.4300 1:$1.5400
IRGS10B60KDPBF DISTI # 942-IRGS10B60KDPBF	Infineon Technologies AG	IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS: Compliant	88	1:$2.8100 10:$2.3900 100:$1.9100 500:$1.6700 1000:$1.3900 2500:$1.2900 5000:$1.2400
IRGS10B60KDPBF DISTI # 9074870P	Infineon Technologies AG	IGBT N-CHANNEL 600V 22A D2PAK, TU	65	25:£1.7940 125:£1.6900 250:£1.5920 625:£1.4680
IRGS10B60KDPBF DISTI # IRGS10B60KDPBF	Infineon Technologies AG	Transistor: IGBT,600V,22A,104W,DPAK	74	1:$3.1633 3:$2.7882 10:$2.3983 50:$2.2506

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: IRGS10B60KDTRRP OMO.#: OMO-IRGS10B60KDTRRP	IGBT Modules IGBT DISCRETES
	Mfr.#: IRGS10B60KDPBF OMO.#: OMO-IRGS10B60KDPBF	IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
	Mfr.#: IRGS10B60KDPBF-EL OMO.#: OMO-IRGS10B60KDPBF-EL-1190	Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRGS10B60KDPBF-EL)
	Mfr.#: IRGS10B60KD OMO.#: OMO-IRGS10B60KD-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IRGS10B60KDTRPBF OMO.#: OMO-IRGS10B60KDTRPBF-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IRGS10B60KDTRPBF,IRGS10B OMO.#: OMO-IRGS10B60KDTRPBF-IRGS10B-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IRGS10B60KDTRRP OMO.#: OMO-IRGS10B60KDTRRP-INFINEON-TECHNOLOGIES	IGBT 600V 22A 156W D2PAK
	Mfr.#: IRGS10B60KDTRLP OMO.#: OMO-IRGS10B60KDTRLP-INFINEON-TECHNOLOGIES	IGBT Modules 600V 12A
	Mfr.#: IRGS10B60KDPBF OMO.#: OMO-IRGS10B60KDPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES	IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT