TSM70NB1R4CP ROG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

700 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4 V

Qg-ゲートチャージ：

7.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

28 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

NチャネルパワーMOSFET

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

8 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

26 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

Tags

TSM70, TSM7, TSM