SIHB23N60E-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

23 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

158 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

63 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

227 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

E

幅：

9.65 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

立ち下がり時間：

34 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

38 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

66 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.050717 oz

Tags

SIHB2, SIHB, SIH