GS-065-008-1-L

製品属性

属性値

メーカー：

GaNシステム

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

GaN Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PDFN-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

541 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 10 V to 7 V

Qg-ゲートチャージ：

1.5 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

GS-065

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

GaNシステム

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

GS-065-008-1-L-E01-MR