MRF6S23100HSR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

68 V

利得：

15.4 dB

出力電力：

20 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-3

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

4.32 mm

長さ：

20.7 mm

動作周波数：

2.3 GHz to 2.4 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.91 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

330 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

0.168010 oz

Tags

MRF6S23100HS, MRF6S2310, MRF6S23, MRF6S2, MRF6S, MRF6, MRF