MRF8S26120HSR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

900 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

15.6 dB

出力電力：

28 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

2.62 GHz to 2.69 GHz

シリーズ：

MRF8S26120H

ブランド：

NXP /フリースケール

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

単位重量：

0.168010 oz

Tags

MRF8S26120, MRF8S261, MRF8S26, MRF8S2, MRF8S, MRF8, MRF