LND150K1-G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

13 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 kOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

360 mW

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

マイクロチップテクノロジー

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 mOhms

立ち下がり時間：

1.3 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

0.45 us

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

0.1 us

典型的なターンオン遅延時間：

0.09 us

単位重量：

0.000282 oz

Tags

LND150K, LND150, LND15, LND1, LND