MRF6V2010NBR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

110 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-272-3

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

2.64 mm

長さ：

23.67 mm

シリーズ：

MRF6V2010N

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

6.4 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 5 V, 10 V

パーツ番号エイリアス：

935319274528

単位重量：

0.042191 oz

Tags

MRF6V2010NB, MRF6V2010N, MRF6V20, MRF6V2, MRF6V, MRF6, MRF