RGT8NS65DGC9

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-262-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.65 V

最大ゲートエミッタ電圧：

30 V

25℃での連続コレクタ電流：

8 A

Pd-消費電力：

65 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

ブランド：

ロームセミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

RGT8NS65D(TO-262)

Tags

RGT8N, RGT8, RGT