RCD100N19TL

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

190 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

130 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

52 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

85 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

RCD100N19

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

75 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

140 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

パーツ番号エイリアス：

RCD100N19

単位重量：

0.011993 oz

Tags

RCD100N1, RCD100, RCD10, RCD1, RCD