SI2314EDS-T1-GE3

SI2314EDS-T1-GE3
Mfr. #:
SI2314EDS-T1-GE3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI2314EDS-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
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製品属性
属性値
メーカー
VISHAY
製品カテゴリ
FET-シングル
包装
リール
パーツエイリアス
SI2314EDS-GE3
単位重量
0.050717 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
SOT-23-3
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
独身
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
750 mW
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Voltage
12 V
Id-連続-ドレイン-電流
4.9 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
33 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
Tags
SI2314E, SI2314, SI231, SI23, SI2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
***ark
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.77A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:950mV; Power Dissipation Pd:750mW ;RoHS Compliant: Yes
SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs
Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI2314EDS-T1-GE3
DISTI # SI2314EDS-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.3350
SI2314EDS-T1-GE3
DISTI # SI2314EDS-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2314EDS-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.3049
  • 6000:$0.2959
  • 12000:$0.2839
  • 18000:$0.2759
  • 30000:$0.2689
SI2314EDS-T1-GE3
DISTI # 781-SI2314EDS-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.3050
SI2314EDS-T1-GE3Vishay Intertechnologies 3000
    画像 モデル 説明
    SI2314EDS-T1-E3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-E3

    MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    SI2314EDS-T1-GE3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-GE3

    MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
    SI2314EDS

    Mfr.#: SI2314EDS

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-1190

    ブランドニューオリジナル
    SI2314EDS-T1-E3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-E3-VISHAY

    MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
    SI2314EDS-T1-GE3

    Mfr.#: SI2314EDS-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI2314EDS-T1-GE3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
    可用性
    ストック:
    Available
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    $0.40
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    $3.83
    100
    $0.36
    $36.30
    500
    $0.34
    $171.40
    1000
    $0.32
    $322.70
    2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
    皮切りに
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