IGT60R190D1SATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

GaN

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PG-HSOF-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

12.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

190 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

0.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

3.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

55.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolGaN

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001701702

Tags

IGT60, IGT6, IGT