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| PartNumber | SPB100N03S2-03 G | SPB100N03S2-03 | SPB100N03S2L-03 |
| Description | MOSFET N-Ch 30V 100A D2PAK-2 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK |
| Manufacturer | Infineon | - | - |
| Product Category | MOSFET | - | - |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | - | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | - | - |
| Package / Case | TO-263-3 | - | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 30 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 100 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 3.3 mOhms | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 300 W | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Channel Mode | Enhancement | - | - |
| Packaging | Reel | - | - |
| Height | 4.4 mm | - | - |
| Length | 10 mm | - | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - | - |
| Width | 9.25 mm | - | - |
| Brand | Infineon Technologies | - | - |
| Fall Time | 39 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Rise Time | 40 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 1000 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 44 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 24 ns | - | - |
| Part # Aliases | SPB100N03S203GXT | - | - |
| Unit Weight | 0.139332 oz | - | - |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
SPB11N60C3 | MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 | |
| SPB11N60S5ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-263 | ||
| SPB100N03S2-03 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | ||
| SPB100N03S2-03 G | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | ||
| SPB100N03S2L-03 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | ||
| SPB100N03S2L-03 G | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | ||
| SPB100N03S2L03T | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | ||
| SPB100N04S2-04 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | ||
| SPB100N04S2L-03 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | ||
| SPB100N06S2-05 | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | ||
| SPB100N06S2L-05 | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | ||
| SPB100N08S2-07 | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | ||
| SPB100N08S2L-07 | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | ||
| SPB10N10 | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK | ||
| SPB10N10 G | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK | ||
| SPB10N10L | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK | ||
| SPB10N10L G | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 | ||
| SPB11N60C3ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | ||
Infineon Technologies |
SPB10N10L G | MOSFET N-Ch 100V 10.3A D2PAK-2 | |
| SPB100N03S2-03 G | MOSFET N-Ch 30V 100A D2PAK-2 | ||
| SPB11N60C3ATMA1 | MOSFET LOW POWER_LEGACY | ||
Hammond Manufacturing |
SPB1 | Electrical Enclosures Swing Panel Kit | |
| SPB11N60S5 | MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS S5 | ||
| SPB100100 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB10035 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB10045 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB10080 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB10090 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB100N03S2-03G | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB100N03S2-03T | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB100N03S2L-03G | MOSFET N-Ch 30V 100A D2PAK-2 | ||
| SPB100N06S2-05+ | MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK | ||
| SPB101B | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB101BG | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB101C-1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB104 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB104-AL-1 | WIFI SD CARD 802.11B/G | ||
| SPB105-AK-1 | WIFI BRD 802.11B/G 10PIN HEADER | ||
| SPB106-AP-1 | WIFI BRD W/RF ANTENNA 802.11B/G | ||
| SPB106AP1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB10N03L | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB10N10G | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB10N10LG | Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||
| SPB10N60C3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB11N60C2 | - Bulk (Alt: SPB11N60C2) | ||
| SPB11N60C3 | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000013519) | ||
| SPB11N60C3 11N60 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB11N60C3,11N60C3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB11N60C5 | ブランドニューオリジナル | ||
| SPB11N60S5E3045 | ブランドニューオリジナル |